据闪德资讯获悉，美光宣布，已向多家客户交付容量36GB的12层堆叠HBM4样品。

这款新型存储器基于美光1-beta DRAM工艺打造，配备2048位接口，每堆栈带宽可突破2.0TB/s，较前代产品性能提升超60%。

美光表示HBM4专为无缝集成下一代AI系统设计，尤其适用于数据中心的大型语言模型和推理任务等工作负载。

公司着重强调了其提升的推理性能与能效表现，宣称相比前代HBM3E产品能效提高超20%。

美光计划于2026年启动HBM4的量产，以配合客户下一代AI平台的上量节奏。

目前，HBM4市场的领军企业SK海力士在开发速度上最为领先。

该公司已于今年3月向英伟达提供工作样品，并正专注于年底前实现量产的性能提升工作。

美光样品出货时间虽比SK海力士晚约三个月，但比三星电子更快。

三星电子目前正采用业界首款10纳米级第六代(1c)DRAM设计HBM4。

据悉，三星电子计划于今年第三季度左右完成针对HBM4重新设计的10纳米级第六代DRAM验证工作，并计划在今年内实现HBM4量产。

点击此处关注，获取最新资讯！