随着人工智能（AI）相关功耗激增，低功耗存储半导体正受到瞩目，预计被视为未来产业的机器人和自动驾驶汽车也将采用LPDDR内存。

据相关人士透露，中国内存厂商不仅在人工智能（AI）芯片核心的HBM领域，也在LPDDR内存方面正紧追三星电子。

该公司于2023年底实现LPDDR5商用化，今年初又成功量产LPDDR5X，近期又传出已着手开发三星电子计划今年下半年推出的LPDDR6产品。

有业内人士认为，考虑到当前技术发展速度，中国内存厂商最快在2026年成功量产LPDDR6。

这与三星电子规划的LPDDR6的量产时间差距不到一年。

这一消息无疑给三星内存部门敲响了警钟，三星电子DS部门副社长全永铉预计将集中精力推进今年下半年推出的LPDDR6研发与量产。

半导体界人士表示，美光最近发布了采用1c DRAM工艺的LPDDR5X，预计三星电子也将采用相同工艺。

DRAM工艺按 1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代）顺序开发，随着代际演进，线宽不断微缩，性能和功耗效率持续提升。

相比前代技术，三星1c DRAM晶体管密度更高、能效比更优。

三星通过“设计变更”战略，将1c DRAM的冷态良率提升至50%，热态良率达60%-70%。

并计划在韩国华城工厂建设新生产线，扩大产能。

三星LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。

因此基于1c DRAM架构的内存芯片的量产可以让三星在与中国厂商的竞争中占据明显优势。

另据行业消息称，高通将成为首家在其产品中搭载三星LPDDR6 DRAM芯片的客户，其即将推出的骁龙8 Elite Gen 2将采用该技术。

这款SoC预计将于9月23日举行的骁龙峰会上亮相。

报告中并未提及其他潜在客户，但考虑到LPDDR6 DRAM的优势，其他客户很快就会开始下单，届时三星将暂时处于领先地位。