据闪德资讯获悉，三星电子存储芯片部门高管于五月下旬前往英伟达美国总部，推进大规模高带宽内存（HBM）供应协议。

行业消息称，包括DRAM开发负责人黄相俊在内的三星存储核心高管访问英伟达总部，这是双方敲定HBM3E供应协议的持续努力之一。

此次访问延续了三星与英伟达高层会晤的惯例。

今年二月，三星设备解决方案部门负责人全永铉曾在英伟达总部会见CEO黄仁勋。

五月初全永铉又率高管团队再访硅谷，先后造访苹果和英伟达。

三星已将2025年6月底前开始向英伟达大规模出货HBM3E列为组织优先事项。

高管互访旨在完成质量测试确认，并协调大规模供货的交付时间表。

英伟达计划在2025年下半年推出搭载12层HBM3E内存的GB300人工智能芯片，5月起将开始向主要科技公司分发样品。

不断增长的生成式AI需求已使当前供应商SK海力士和美光的HBM产能难以满足英伟达Blackwell系列的需求。

三星正面临美光的竞争，后者同样计划从2025年下半年开始供应12层HBM3E内存。

若三星出现供货延迟，美光可能趁机抢走这些订单。

除HBM外，三星还计划向英伟达供应GDDR和SOCAMM产品。

行业消息称三星将为英伟达面向中国市场的B40 AI加速器提供GDDR7内存，该产品定价在6500至8000美元之间。

三星12层HBM3E近期已通过英伟达的裸片测试关键节点，仅剩最终封装验证环节即可获得潜在订单批准。

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