据闪德资讯获悉，三星计划将其华城H1工厂内利用率较低的老旧内存产线改造为主要专注于封装的生产线。

此外，三星正在将天安一座利用率不足的液晶显示器工厂改造成专注于先进HBM封装的半导体制造设施，预计将于2027年12月完工。

H1工厂内设有三星的12号线和13号线，其中12号线主要生产NAND闪存，13号线则制造DRAM。

这两条产线目前主要供应韩国内存市场中出货量持续下滑的旧世代产品。

尽管三星曾考虑将13号线改造为CMOS图像传感器（CIS）产线，但由于CIS市场表现疲软，相关改造计划已多次推迟。

相比周边其他产线，H1工厂的生产设备相对陈旧。

即使投入前端工艺改造资金，要将这些产线升级至最新世代内存芯片生产仍面临困难。

而生产更旧世代DRAM的15号线和16号线，目前正针对第一代（1b）DRAM产品进行转型投资。

三星计划在2025年下半年至2027年间逐步拆除H1工厂的旧内存设备，替换为封装设备。

该公司还计划引入用于服务器级DRAM工艺技术的小规模硅通孔（TSV）设备。

后端处理技术复杂度较低，更适合产线改造。

将分散在周边产线的封装设备集中到H1工厂，不仅能改善管理，还能提升投资效率。

行业观察人士推测，三星此举旨在优化投资成本效益，同时应对日益增长的高端DRAM需求。

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