据闪德资讯获悉，在为下一代人工智能提供内存的高风险竞赛中，三星电子面临越来越大的压力，需在2025年底前向英伟达交付其12层HBM3E芯片。

然而，随着自设截止日期的临近，三星是否能满足其最重要客户设定的严格性能标准仍存在不确定性。

三星早在2025年2月就开始生产12层HBM3E内存。然而，由于未获得英伟达的官方认证，出货期限已被推迟。

分析师警告，这种冒险可能使公司面临库存过剩和战略风险。

这一延迟源于三星在HBM3E堆栈中使用1a级（第四代10纳米）DRAM时遇到的挑战。

据消息人士透露，由于速度性能不佳，英伟达拒绝批准该产品，促使三星重新调整其芯片设计。

三星现在计划在2025年7月至8月期间通过英伟达的质量认证，获得其12层HBM3E的认证。

这一时间表比之前的报道略有延迟。

业内人士表示，三星正以高度紧迫感进行运作。

如果到年底仍未能获得英伟达对HBM3E的批准，这家韩国巨头将不得不彻底重新评估其HBM路线图。

这在一个与当前HBM市场领导者SK海力士激烈竞争的市场中将是一个严重的挫折。

如果12层版本在2025年未能获得英伟达的青睐，三星可能会更加积极地转向HBM4，这是下一代高带宽内存，承诺提供更大的带宽和容量。

HBM4预计将在2025年底开始大规模生产和商业部署，并可能与新兴的互连技术如CXL结合，为下一波AI和HPC系统提供动力。

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