据闪德资讯获悉，HBM4已成为存储大厂的新战场，三星正借大规模的投资缩小与市场龙头SK海力士的差距。

计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM (第六代10nm等级) 制程产线，投资年底启动。

相比竞争对手SK海力士和美光选择1b DRAM (第五代10nm等级) 制程技术作为HBM4的基础技术，三星更大胆押注更先进的1c DRAM制程技术，表明三星有信心提升1c DRAM技术的良率。

三星还考虑在2025年底前将华城17号生产线从1z DRAM (第三代10nm等级) 制程技术转为 1c DRAM技术生产，进一步扩大产能。

三星2025年稍早已在平泽第四园区 (P4) 启动首条1c DRAM产线，目标月产能3万片晶圆。

之后如果继续扩产顺利，月产能将有望提升至4万片。

三星12层堆叠的HBM4的关键4nm逻辑芯片，试产达成超过40%良率。

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