据闪德资讯获悉，三星电子宣布开发出将NAND闪存与Compute Express Link（CXL）模块相结合的产品，该产品被认为是下一代存储。

下一代CXL解决方案，还可以考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构。具有很高的发展潜力，因为可以实现现有DRAM所不具备的新性能。

CXL是集成多种设备的下一代接口，包括CPU、GPU和存储。

如果说以前连接CPU和存储半导体的道路只有2到3条车道的话，那么CXL就好比是将车道数大幅增加到8条甚至更多的技术。

因具有能够扩大容量、提高数据处理效率的优点而备受关注。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，并配备了提供CXL功能的DRAM。

混合结构是CMM-Hybrid（H），将NAND与DRAM结合在一起的新概念。

在基于DRAM的模块中添加NAND的优势，在于它可以增加存储容量。

三星电子利用可编程门阵列（FPGA）制作了CMM-H结构的原型。

正在推进研发，目标是2027年实现商业化。

专注于容量的CXL是一种新的解决方案，正在实验室中对各种形式的存储进行研发。

就HBM而言，定制HBM 的供应正在全面实现。

由于HBM基础芯片采用逻辑半导体工艺制造，创造了一个可以根据不同客户需求进行生产的环境，这是一个巨大的变化，因为它为存储部门生产定制产品提供了可能性。

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