据闪德资讯获悉，新的1T1C和3T0C设计基于类似3D NAND的架构，预计2026年推出概念验证测试芯片，将DRAM 的性能与NAND的可制造性相结合。

实现经济高效、高产量的生产，密度高达512Gb，比传统DRAM提高了10倍。

NEO Semiconductor宣布3D X-DRAM技术系列取得了最新进展，业界首款基于1T1C和3T0C的3D X-DRAM单元，该解决方案为最苛刻的数据应用提供前所未有的密度、功率效率和可扩展性。

随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，正在重新定义内存技术的可能性。这项创新突破了当今DRAM的扩展限制，使NEO成为下一代内存的领跑者。

目前包括三种3D X-DRAM组合：

1T1C（一个晶体管，一个电容器）——高密度 DRAM 的核心解决方案，完全兼容主流DRAM和HBM路线图；

3T0C（三个晶体管，零个电容器）——针对电流感应操作进行了优化，非常适合人工智能和内存计算；

1T0C（一个晶体管，零个电容器）——适用于高密度DRAM、内存计算、混合内存和逻辑架构的浮体单元结构。

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