据闪德资讯获悉，近期，存储大厂SK海力士与竞争对手三星在内存市场上的竞争异常激烈。

对此，SK 海力士也决定在合作伙伴台积电的北美技术研讨会上向公众展示，其新一代的HBM4高带宽内存，以及其他几种内存产品。

当前市场上的HBM制造，SK 海力士似乎远远领先其他所有制造商。

尤其是其HBM4技术上，市场消息指出，该公司已经准备好了HBM4的商业版本，而美光和三星等竞争对手都仍处于样品阶段。

在台积电的北美技术研讨会上，该公司通过发布几款新产品，展示了其所谓的“AI 内存”领导地位。

首先，SK海力士向大众预览了其HBM4的制程技术，并对其规格进行了简要介绍。 

SK海力士HBM4的容量高达48GB，带宽为2.0TB/s，I/O速度为8.0Gbps。

SK海力士也宣布，计划在2025年下半年达成量产，这代表着该产品技术最早可能在2025年底前融入客户的产品中。

而除了HBM4，还看到SK海力士实施的16层堆叠的HBM3E，这也是同类产品中的首创，其具有1.2TB/s带宽。

而这一特定规格，传闻将搭载在英伟达的GB300 Blackwell Ultra的AI芯片服务器上，而英伟达的下一代Vera Rubin AI芯片将会采用HBM4规格的产品。

有趣的是，SK海力士表示，他们已经成功地通过先进的MR-MUF和TSV连接技术达到内存堆叠的做法，成为在市场上的技术领先者。

根据这些新展示出的成品，毫无疑问的是SK海力士目前在HBM和DRAM市场上占有竞争优势，未来还将持续透过推动创新和与英伟达等公司建立合作伙伴关系，以进一步拉开与三星的差距。

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