美光推出了基于G9架构的全球首款UFS 4.1和UFS 3.1芯片,将有助于提升移动设备上的人工智能功能。这些新芯片将在美光1y LPDDR5X RAM发布后不久出现在旗舰智能手机中,预计将于2026年初推出。基于G9工艺技术的UFS 4.1和UFS 3.1内存芯片不仅提高了功率效率,还提升了读写速度。它们将提供从256GB到1TB的容量,适用于超薄和灵活的智能手机。除了硬件上的提升,美光还通过软件优化来增强性能,并在执行AI任务时改善用户体验。例如,UFS 4.1存储支持Zoned UFS,这能提高读写效率并减少内存单元的“磨损”。数据碎片整理技术使驱动器内数据的移动和碎片整理效率提高了60%。
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