三星电子近日与YMTC签署了3D NAND混合键合专利许可协议。

由于工艺流程，难以避免专利，引进YMTC的专利成为必然。

这意味着，未来存储芯片的领导地位竞争会更加激烈。

三星电子确认，从中国NAND制造商YMTC引入混合键合专利，将应用在V10 NAND产品。

YMTC是业内第一家将混合键合应用于3D NAND的公司。

相关技术已建立起稳固的专利壁垒。

三星电子采取的是，通过协议消除未来风险而非强行规避专利的策略。

下一代NAND开发的核心问题已经解决，但良率稳定性、通过专利引入恢复竞争力等未来挑战正在出现。

三星V10预计下半年量产，层次在420-430之间。

V10 NAND引进了多项新技术，其中W2W（晶圆到晶圆）混合键合至关重要。 

W2W混合键合是一种将晶圆与晶圆直接键合的封装技术。

混合键合省略了传统芯片连接所需的凸块，缩短了电气路径并提高了性能和散热特性。

特别是W2W，键合的是整个晶圆而不是芯片，在提高生产率具有优势。

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