闪德资讯获悉，美光推出了一款新的M.2 NVMe SSD，采用PCIe Gen5速度。

有趣的是，这是一款客户端SSD，由Micron而非Crucial销售。

这意味着这款产品是为OEM定制。

AMD、英特尔和联想已经为这款产品点赞。

AMD计算和图形高级副总裁兼首席技术官Joe Macri表示，4600 SSD有望为要求最苛刻的专业应用程序和高速游戏提供卓越的性能和一流的用户体验。

英特尔客户生态系统部副总裁Todd Lewellen表示，4600 SSD非常适合基于英特尔酷睿超处理器的 AI PC以及未来平台。

联想总监兼首席工程师Takashi Sugawara表示，选择美光 4600 SSD，是因为业界领先的性能，并且在SSD模块组装过程中采用了低温焊接 (LTS) 技术。

作为LTS技术的先驱，联想一直与美光合作，致力于降低SSD制造过程中的能耗。

这是美光第二款基于G9（276层堆叠）3D TLC NAND闪存的产品（首款为2650）。

此款NVMe SSD搭配台积电6nm制程、SM2508 8通道PCIe Gen 5控制芯片，对应每秒14.5GB资料读取速度，最高每秒12GB写入速度，210万次的IOPS每秒随机读写表现，读取大型自然语言模型仅需1秒时间即可完成，也符合SED、TCG Opal、TCG Pyrite、DICE等安全机制。

4600 SSD速度很快，基于PCMark 10 的用户体验比Gen4 NVMe SSD高出38%。

规格如下：

看起来512GB（OEM系统很常见）的额定读取速度为10.3GB/s，写入速度略低于5.8GB/s。

1TB容量读取速度提高到14.5GB/s，2TB容量最大写入速度达到12GB/s。

2.1M 4K随机读取IOPS和超过1M随机写入IOPS。

最大容量有4TB。

这些曾经都是高端存储的标配，现在它出现在一个简单的M.2 SSD中。

美光表示，在当前越来越多AI PC应用普及，以及游戏市场持续成长情况下，存储设备读写与耗能表现就变得更加重要，毕竟存取速度会影响整体运算表现，而耗能也会降低装置电池续航时间，进而影响整体使用感受，因此认为性能将成为接下来的AI PC、游戏笔电重点项目，同时也能推动媒体和娱乐应用，以及包含能源产业、产品开发及生命科学等领域应用发展。

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