三星半导体研究所完成突破性400层堆叠NAND Flash开发。

11月开始将技术转移到平泽园区一号工厂产线。

这将使三星电子处于NAND Flash的领先位置，超过开始量产321层堆叠NAND Flash的SK海力士。

三星计划2025年2月在美国2025年(ISSCC) 发布，详细介绍1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash，2025年下半年量产。

但预测如果加速进程，量产阶段可能第二季末就开始。

除了400层 NAND Flash，三星在2025年增加先进产线，平泽园区安装第九代（286层堆叠）NAND Flash产线，月产能 30000-40000片晶圆。

中国西安厂也将128层堆叠（V6）转为236层堆叠（V8）制程。

三星400层堆叠NAND Flash代表技术重大进步，2013年3D NAND Flash问世提升容量与读取速率后，400层堆叠TLC NAND Flash显示三星有显著进步。

目前全球NAND Flash市占率三星领先为36.9%，SK海力士2023年量产238层堆叠 NAND Flash，最近又宣布量产321 层堆叠，给三星很大压力。

三星准备量产400层堆叠TLC NAND Flash同时，也专注最佳化晶圆良率。

NAND Flash研发阶段良率为10%-20%，转移至产线后，良率持续提升对更高产量和满足市场需求为关键。

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