英特尔公布2024年第三季财报后，CEO基辛格分享未来客户端CPU计划。

SK海力士宣布HBM3E 16层产品封装中实现了与12层产品量产相似的验证良率。

计划是积极响应市场需求，从明年初开始提供样品。

SK海力士项目负责人表示，HBM3E 16层产品封装验证良率是12层产品量产良率的99%。

虽然12层产品的封装良率没有具体披露，但对未来成功量产表示信心，称在开发阶段已获得与此相当的验证良率。

SK海力士基于应用于12层产品的“高级回流成型底部填充（MR-MUF）”技术开发了16层产品。

多堆叠了4块DRAM，与12层产品相比，芯片之间的间隙缩小了50%，满足JEDEC HBM高度限制775微米（㎛）。

尽管DRAM芯片之间的差距已经缩小，通过改进材料和设备，成功地有效注入了环氧模塑料（EMC）。

先进的MR-MUF技术并不是一种即使水平提高，良率就会急剧下降的技术。

计划通过开发先进的MR-MUF和混合键合，在未来开发20层产品。

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