三星疑转攻1c DRAM，6月开发完成？

三星电子计划在今年6月前完成11纳米制程第六代1c DRAM的开发，在美光、SK海力士加速追赶之际，力拼保持产业龙头地位。

2022-04-18阅读量2103DRAM

SK海力士研发适用于3D DRAM的下一代通道材料

据韩媒BusinessKorea报道，随着DRAM的尺寸限制问题的出现，3D DRAM等新一代存储芯片的研究正在积极进行。SK海力士介绍了适合3D DRAM的新一代通道材料IGZO。

2023-07-01阅读量1448DRAM

SK海力士与Lam Research合作提升DRAM生产效率

半导体设备厂商Lam Research正在与SK海力士合作通过提升干式光刻胶技术提升EUV曝光效率从而提高DRAM生产效率。

2022-06-17阅读量1664DRAM

SK海力士HBM4E采用第六代10nm制程32Gb DRAM

SK海力士技术员Kim Kwi Wook表示，SK海力士计划第六代10nm级1c制程32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。

2024-05-17阅读量830DRAM

闪存芯片止跌回升，下季度涨幅或最高达20%

受益于近期DRAM、NAND、SSD价格止跌回升，产业链企业在三月均获得不错的营收成绩。

闪德资讯· 2021-04-10阅读量2791DRAM

金泰克DDR4内存与飞腾、兆芯、龙芯完成产品兼容性合作认证

近日，金泰克KT8GU4NE8 DDR4 8GB 2666 UDIMM、KT8GS4NE8 DDR4 8GB 2666 SODIMM与飞腾、兆芯、龙芯完成产品兼容性合作认证。

2021-06-04阅读量3896DRAM

联电助晋华窃密美光案现新进展，二审轻判，均可缓刑

联电对判决表示欣慰，感谢法院依据事实公正裁判，并深切期望检方尊重上诉审法院之判决，以及联电与美光公司于2021年11月达成之全球和解，让本案得以画下句点。

2022-01-28阅读量2304DRAM

终端客户库存升高，存储芯片价格持续下跌，机会是否出现？

有研究机构预计DRAM第四季度还会继续下跌，有业内人士认为NAND Flash 会受到iPhone13的带动而转好，且明年供给可能会吃紧，而NOR Flash会受到DRAM的影响而导致第四季度的价格小幅下降。

闪德资讯· 2021-09-27阅读量2814DRAM

消息称美光震后拟调升产品报价，涨幅达25%

相关人士透露，受到云端服务器及企业级储存的需求强劲回升，及日前地震撼动DRAM产能供给，对于原本供给趋于紧张的存储产业，传出第2季市场价格将再扩大涨幅。

2024-04-09阅读量1279DRAM

晶合集成冲击国内晶圆代工第二

2023-05-25阅读量1631DRAM