东芝与西数合资新晶圆厂开幕 已量产新一代96层3D NAND Flash

日本存储器大厂东芝存储器（Toshiba Memory Corporation）与西数（Western Digital）于19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心（Memory R&D Center）。

TechNews科技新报· 2018-10-31阅读量3674

东芝-西数联盟， 西数3D NAND量产将使用三星TCAT工艺

据报道，东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

爱集微· 2019-12-12阅读量7074

东京电子成功开发出400层以上的3D NAND技术

东京电子（TEL）近日发布消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

2023-06-12阅读量28423D NAND

东京电子开发出可生产400层的3D NAND闪存设备

东京威力科创/东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产400层3D NAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

2023-10-18阅读量2324NAND

业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量

据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。

2021-11-24阅读量39423D NAND

三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层

三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

2024-04-16阅读量24113D NAND

三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速

韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3D DRAM商业化，他们认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

2023-03-13阅读量25933D

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量3231

三星开设实验室研究下一代3D DRAM

2024-01-29阅读量2290

三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

2024-01-30阅读量24843D NAND