东京电子开发出可生产400层的3D NAND闪存设备

东京威力科创/东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产400层3D NAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

2023-10-18阅读量1812NAND

业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量

据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。

2021-11-24阅读量33403D NAND

三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层

三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

2024-04-16阅读量18873D NAND

三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速

韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3D DRAM商业化，他们认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

2023-03-13阅读量22063D

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量2752

三星开设实验室研究下一代3D DRAM

2024-01-29阅读量1768

三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

2024-01-30阅读量19073D NAND

三星字符串堆叠技术可实现200层3D堆叠

当国内存储颗粒厂商还在研究128层堆叠技术，三星等厂商又推出了更高阶的3D NAND字符串堆叠技术，字符串堆叠由单个3D NAND设备相互堆叠组成，举个例子，如果将三个64层3D NAND设备垂直堆叠，最终的芯片将是192层产品。

闪德小编整理· 2020-07-13阅读量3820

三星公布自家3D芯片封装技术X-Cube

三星电子宣布，公司的3D IC封装技术eXtended-Cube（X-Cube）已通过测试，可立即提供给当今最先进的工艺节点。

三星电子· 2020-08-15阅读量3358

三星今年将推出3D HBM芯片封装服务

业内人士透露，三星电子公司将于年内推出高带宽内存 (HBM) 三维 (3D) 封装服务，该技术预计将出现在2025年推出的HBM4中。

2024-06-19阅读量16183D