华为+中科院，前沿3D DRAM技术，是时候了解一波了！

据日媒TECH+ 23日消息，华为即将公布其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。

闪德资讯· 2022-05-24阅读量4468

冲刺3D NAND Flash，旺宏决定增加百亿资本支出，布建新产能

旺宏目前已完成3D NAND Flash试产，初期以48层为主，并送样给日本大客户验证，规划2022年底产出96层产、2023年紧接着推出192层产品，等于正式向全球宣告，旺宏决定参与3D NAND Flash的战局，公司大举斥资扩充Fab 5b，3D NAND Flash未来也将是旺宏量产的主要核心产品。

2021-07-28阅读量3379NAND

全球第一款量产176层3D NAND闪存横空出世，友商们进度怎么样了？

据外媒报道，它们已开始批量生产全球首个176层3D NAND闪存，实现了行业领先的密度和性能，新型的3D NAND增强了移动、汽车、客户端和数据中心应用程序等的存储能力。

闪德资讯· 2020-11-10阅读量3884

低功耗SSD控制器：X1支持可靠的3D闪存

今天Hyperstone宣布推出型号为X1的新型SATA III SSD控制器。X1的设计完全满足工业领域需求，目标产品应用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模组，CFast卡和eSSD的系统封装盘以及板载控制器和闪存芯片的闪存盘等。

集微网· 2019-02-13阅读量2644

为实现超大容量SSD，铠侠正试验7bit/cell 3D NAND

近日铠侠表示，已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc)，尽管是在实验室和低温的条件下。为了使存储密度更高，存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。

2022-06-17阅读量29363D NAND

东芝在Q4扩大96层3D NAND产品出货量，各家原厂在96层和QLC技术上的竞争愈发激烈

随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量3251

东芝与西数正在研发128层堆叠3D TLC，写入速度翻倍

今年64层堆叠的3D TLC闪存已经是SSD市场的绝对主流，用96层堆叠闪存的SSD也开始上市了，厂商们已经向更高层的128层堆叠进军，在年初的2019闪存峰会上SK海力士还有国内的长江存储已经宣布了他们的开发计划，现在东芝与西数的128层堆叠闪存计划也泄露了出来。

超能网· 2019-03-11阅读量3197

东芝与西数合资新晶圆厂开幕 已量产新一代96层3D NAND Flash

日本存储器大厂东芝存储器（Toshiba Memory Corporation）与西数（Western Digital）于19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心（Memory R&D Center）。

TechNews科技新报· 2018-10-31阅读量3043

东芝-西数联盟， 西数3D NAND量产将使用三星TCAT工艺

据报道，东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

爱集微· 2019-12-12阅读量6388

东京电子成功开发出400层以上的3D NAND技术

东京电子（TEL）近日发布消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

2023-06-12阅读量22383D NAND