旺宏专注开发3D NAND

旺宏电子正专注于开发192层以上的3D NAND快闪存储器，预计在2023年第四季到2024年第一季开始量产，2024年下半年开始对营收有所贡献。

2024-07-29阅读量17543D NAND

新兴的2.5D/3D先进封装集成工艺主要用来做什么？

新兴的2.5D和3D技术有望扩展到倒装芯片和晶圆级封装工艺中。通过使用硅中介层（Interposers）和硅通孔（TSV）技术，可以将多个芯片进行垂直堆叠。

2022-07-08阅读量27353

投资130亿元，国产公司发力PCM相变存储，2021推3D XPoint芯片

​作为当前最尖端的高科技之一，半导体芯片这几年在国内很热门，不仅在媒体报道上刷屏，而且国内最近几年上马了不少半导体项目，几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中，存储芯片是国内优先发展的，毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。

超能网· 2018-12-06阅读量2779

技术前沿 | DRAM注定是3D的，从材料角度看3D DRAM将不同于3D NAND

​3D DRAM的普及和量产可能需要几年时间，但DRAM可能会跟随NAND的步伐并走向3D，这意味着它将需要新的制造设备和材料来经济高效地进行生产。

2021-05-12阅读量3405

打破世界垄断，国内首款128 层QLC 3D闪存第一次正式亮相

存储作为国家重点扶持的产业，是我国发展信息化的核心技术。随着国产化替代加速，中国存储需要依靠完整的制造业产业链建立中国经济圈，存储国产替代成为重中之重。在CITE 2020上展示的国产顶级产品，只是中国存储崛起的一个缩影，相信未来还会有更多新品推出。

闪德资讯· 2020-08-15阅读量3631

打破三星独霸！3D NAND flash群雄并起

记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。

电子发烧友网· 2018-12-14阅读量3113

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储 Xtacking 3D NAND

全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技（Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO）宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层 Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。

网络整理· 2020-09-11阅读量3195

慧荣推第三代PCIe Gen4 SSD控制芯片 满足次世代3D NAND设计需求

2023-02-17阅读量24033D NAND

慧荣发布最新主控SM2271：支持3D QLC，最大容量16TB

慧荣科技发布最新企业级SATA SSD主控SM2271：支持3D TLC/QLC NAND，8通道

中国闪存市场· 2019-03-16阅读量2434

市场规模可达上千亿美元，三星2025年率先进入3D DRAM时代

三星电子于产业会议Memcon 2024表示，2025年后进入3D DRAM时代。

2024-04-02阅读量19623D