三星投2300亿美元建5座晶圆厂，助建世界最大半导体基地

据韩联社报道，三星电子表示，到2042年将投资约300万亿韩元（约2300亿美元）开发尹锡悦政府规划、首都圈建立世界最大半导体制造基地计划，以提高韩国半导体制造能力。

2023-03-16阅读量1868三星

三星扩大利基型存储外购，台系存储厂接单

三星积极冲刺高带宽内存、DDR5等高端DRAM技术，并寻求台湾ODM厂协助导入之际，在DDR3、NOR Flash等相对成熟或利基型存储则扩大外购

2024-04-16阅读量2030三星

三星扩大减产幅度，强化DDR5高阶内存生产

据台媒《经济日报》报道，三星昨（27）日举行财报会议，释出旗下存储减产幅度将「远大于先前预期」的讯息，并看好下半年景气回升。

2023-04-28阅读量1884三星

三星扩大减产幅度至50%，NAND Flash第4季均价有望涨5%

2023-09-12阅读量1986

三星打算用V-DRAM超车SK海力士

三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产

2025-04-29阅读量1450三星

三星手机再次大砍单，入门5G机型减幅高达7成

三星传出大砍5G入门主力机种Galaxy A23订单，由原订1260万支锐减至400万支，减幅高达七成，是目前三星砍单量最大的机种。

2022-12-26阅读量1748三星

三星手机产能利用率降至7成新低，供应链警戒

三星财报显示，移动设备（HPP）工厂第3季产能利用率为72.2%，年减8.1个百分点

2022-11-17阅读量2294三星

三星或采用铪基薄膜铁电制造1000层NAND

三星电子正在加强其对NAND闪存的研发工作，重点关注被称为「铪基薄膜铁电（hafnia ferroelectrics）」的下一代存储半导体材料。

2024-05-15阅读量1516三星

三星成立新HBM团队，加速「Mach-2」内存开发

三星的HBM小组主要负责DRAM、NAND闪存的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长HwangSang-joon将负责带领新团队。这是三星1月启动HBM任务团队以来，第二个聚焦HBM的小组。

2024-04-02阅读量1897三星

三星成功开发业界首款14纳米LPDDR5X！

11月9日，三星电子宣布成功开发业界首款基于14纳米的下一代移动DRAM——LPDDR5X，旨在满足超高速数据服务市场增长对内存的需求。

2021-11-10阅读量2617三星