三星电子6月份利润同比暴跌96%

2023-07-06阅读量1761

三星电子2025年仍面临三大挑战

三星电子过去一年来颓势连连。

2025-01-02阅读量1329三星

三星电子1a DRAM性能太落后了

三星电子在DRAM技术领域第一的地位受到极大动摇的点就是1a DRAM。

2024-10-16阅读量1622三星

三星生成式AI模型高斯亮相

2023-11-09阅读量1928

三星率先采用DRAM浸没式冷却技术

生成式人工智能的迅猛崛起引发了对计算能力的巨大需求，存储器行业技术竞争激烈。

2025-04-09阅读量1145三星

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量2769三星

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。

2024-03-26阅读量1170三星

三星汽车存储路线图公布

2023-11-24阅读量1791

三星正重新磋商是否出席MWC

出于健康安全考虑，LG、爱立信、NVIDIA等都取消了月底赴西班牙巴塞罗那参加MWC世界移动通信大会的计划。

闪德资讯· 2020-02-09阅读量2047三星

三星正式发布UFS 4.0闪存，顺序读取速度4200MB/s！

5月4日，三星正式公布了UFS（通用闪存）4.0存储解决方案

2022-05-05阅读量2758三星