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光加速设备采购,推动HBM3E扩产
美光正加快采购韩国厂商韩美半导体的TC键合设备,以支持12Hi HBM3E扩展。
2025-04-15阅读量1430
光力推数据中心上QLC SSD:性能是万转机械盘4倍
今年的闪存技术峰会,美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案,SK海力士称之为“4D NAND”,长江存储称之为Xtacking,美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写,即将外围CMOS逻辑电路衬于存储芯片下方,它有三大好处,提高了存储密度、降低了成本、缩短了制造周期。
快科技· 2018-10-30阅读量3549
光出货业界首款采用232层NAND技术的消费级SSD
12月7日,美光宣布,正向全球PC OEM客户运送美光2550 NVMe固态硬盘,用于主流笔记本电脑和台式机。
2022-12-07阅读量2272
光准备量产16层HBM3E
美光已经开始准备量产16层HBM3E,这对韩国存储厂商构成严重威胁。
2025-01-15阅读量1398
光内存工厂出现二氧化碳泄露事故
美光位于台湾的封测厂昨天出现了二氧化碳泄露事故,导致紧急送医10人
超能网· 2019-03-21阅读量2753
光公布HBM4内存最新进展
在最新的投资者会议上,美光透露了HBM4开发进展顺利,下一代HBM4E内存的研发也已在进行中。
2024-12-23阅读量1468
光公布2024财年Q3业绩
美东时间6月26日,美光公布2024财年第三季度业绩
2024-06-27阅读量2022
光全球首款 232 层 NAND:速度提升 50%,最高 TLC 密度
美光全球首款 232 层 NAND:速度提升 50%,最高 TLC 密度
2022-09-22阅读量5413
光全球裁员10%,从新加坡开始
据《联合早报》报道,美光科技的新加坡员工昨(7)日在社交媒体上发表贴文指出,公司的裁员行动已经开始。
2023-02-09阅读量2389
光全力冲击HBM市场
2023-09-05阅读量1933

存储未来,赢得先机

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