3D NAND Flash技术发展到极限，5年内利润空间恐压缩至零

日前SK海力士（SK Hynix）预料，3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限，5年内利润空间恐压缩至零，需业界合作开发新材料因应。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量3254

2月DRAM价格持平，NAND价格连续5个月上涨

2024-03-07阅读量2374

2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展

据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示

2024-06-19阅读量2276NAND

2020年NAND FLASH制程有变动，镁光、英特尔等原厂已着手这几步

基本可以看出，除了英特尔，铠侠存储都是有固定老客户外，其他原厂皆以扩大3D 100+NAND FLASH产能为主，在应用领域的走势也偏向于5G、AI 智能相关领域，对于后续产品还有什么组合变更，敬请关注下期。

闪德资讯· 2020-04-16阅读量3615NAND

2019止不住的存储芯片降价：NAND闪存跌45%、内存芯片降30%

2018年还有三周时间就过去了，对于半导体行业来说，这两年因为存储芯片价格大涨而出现了一轮牛市，但2019年的风向就变了，半导体市场产值大涨的局面不会有了，以往领跑芯片市场的内存、闪存明年都要降价，这一趋势已经不可避免。那么2019年DRAM内存、NAND闪存会降价多少呢？花旗给出的预测显示明年NAND闪存会降价45%，DRAM内存则会跌30%，而且Q2季度之前是看不到价格底线的。

超能网· 2018-12-11阅读量3187

176层4D NAND，SK海力士将在CES 2023展示高效能存储器

SK海力士27日表示，公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会——「CES 2023」，展示主力存储器产品和新的产品阵容。

2022-12-27阅读量2491NAND

128层3D NAND明年渐成主流

第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。

全球半导体观察· 2019-12-04阅读量2297NAND

10万次P/E！宇瞻发布新款3D NAND闪存

存储模组厂宇瞻提高3D NAND SLC-liteX技术，可达业界最高10万写入/擦除次数（P/E cycles），让成本相对较具优势的3D TLC NAND也能拥有SLC NAND的耐用性能，同时具备多样规格及-40~+85度C宽温技术选择

2022-03-11阅读量2831NAND

日本强震使东芝暂关产线，NAND Flash有涨价契机

其中邻近震央的东芝半导体公司的据点，在公司持续对产线进行安全检查的同时，也同时宣布暂时关闭当地的NAND Flash晶圆厂。因此，市场预计将冲击PC零组件的供应状况，也可能造成相关产品的涨价。

2024-01-04阅读量1943NAND Flash

三星西安NAND闪存二厂完成扩建并投产，一起一伏之下，格局短期或变

三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，近期已完成了第二工厂的扩建工程，并在这个月初投产，开工率已达到100%。这将大幅度提高三星NAND闪存产量，有望扩大其市场份额。

2022-04-01阅读量3568NAND