英特尔计划将3D XPoint生产线搬至中国

由于快闪记忆体市场供过于求，价格不断下跌，英特尔决定今年降低NAND产量。此外在上周的英特尔投资公告上，CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段时间不会增大产能。

超能网· 2019-05-15阅读量2390

英特尔指控前员工窃取3D XPoint机密资料

根据报道，英特尔把一位前员工告上法庭，因为其9月份私下接受了美光的职位，并非法复制了3D XPoint机密信息带到美光公司。

TheRegister· 2018-12-03阅读量3001

英特尔70%的3D NAND快闪存储器来自大连晶圆厂

英特尔2006年与大连市政府达成合作协定，2007年起在大连投资25亿美元，建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连晶圆厂正式落成。

电子发烧友网· 2018-10-31阅读量3578

芯片3D先进封装集成技术详解

芯片3D先进封装集成技术详解

2022-09-16阅读量4095

脱离镁光再次突破！英特尔将发布144层3D NAND用以领先镁光技术

英特尔的内存和存储产品部门现在拥有一个完全独立的NAND闪存技术开发团队，该团队与镁光科技（Micron Technology）分拆后，成为了IMFlash Technologies合资企业的一部分。

2020-05-09阅读量3130

联芸科技正式量产96层3D TLC SSD解决方案

国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技（MAXIO）再下一城，正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒，并对外提供搭载联芸科技自主研发支持原厂3D TLC NAND高品质固件的固态硬盘完整解决方案。

美通社· 2018-11-19阅读量4921

美韩存储厂3D DRAM商业化加速，美光技术专利占优势

三星电子等韩国存储半导体大厂正在加速3D DRAM的商业化，将之视为改变产业游戏规则的重大举措。

2023-03-23阅读量20643D

美光扩大在新加坡的研发业务，致力于制造3D NAND闪存

半导体行业巨头美光在新加坡的新工厂破土动工，该工厂将致力于制造3D NAND Flash。该公司并未透露具体产能，只表示其在该项目上的投资将达到总计数十亿美元。 此外，其还披露将扩大在新加坡的研发业务。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量4221

美光启动对IM工厂剩余Intel股份的收购：3D Xpoint闪存合作中止

今天（1月15日）早些时候，美光宣布，将开始行使权利，即收购IM（Intel-Micron） Flash Technologies合资闪存工厂中Intel持有的剩余股份。对此，Intel回应表示，这完全是按照去年10月份双方公布的动向在走，他们没有异议。不过，Intel指出，最终完成交割最长需要1年时间。

快科技· 2019-01-15阅读量2922

美光发布业界首款232层3D NAND闪存

美光公司昨（12）日发布了业界首个具有232层的3D NAND闪存，该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于各种产品，

2022-05-13阅读量28463D NAND