业界传出Marvell缩编台湾NAND团队

业界近日传出，因应NAND Flash行情不佳影响，加上美中贸易战限制，使Marvell的NAND Flash控制IC业务受到冲击，且将会裁撤中国台湾Marvell的NAND Flash控制IC的团队。

2023-11-17阅读量2085NAND

世迈科技：Q2 DRAM涨势趋缓，NAND将调涨15%~20%

上游DRAM/NAND Flash供应商正持续拉高产能利用率，因此下半年供需比将会是关注焦点。

2024-04-25阅读量2520NAND

与SK海力士一教高下！三星证实明年推300层以上V-NAND

韩国存储大厂三星分享V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实2024年将生产超过300层的第九代V-NAND闪存，这将是业界最高层数。

2023-10-20阅读量2227NAND

下半年NAND位元增速将下滑

受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。

2024-08-13阅读量2127

上半年DRAM和NAND低于先前预期

Hana预测三星电子与SK海力士生产的本季DRAM价格将比上季跌30%；Susquehanna表示今年上半年DRAM和NAND晶片价格将“低于先前预期”。

中国IC交易网· 2019-03-11阅读量3213

三星：将逐季调涨NAND价格20%，直到明年Q2

三星电子决定在明年第1季与第2季将NAND价格调涨20%，接续在今年第4季涨价10%至20%的调涨行动。

2023-11-02阅读量2328NAND

三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

2023-10-18阅读量2078NAND

三星韩国平泽P3晶圆厂下月装机，最先生产NAND芯片

三星2020年开始在平泽市兴建P3晶圆厂，2022年5月开始安装设备持续到7月，较计划时间提早一个月，下半年将完成建设。

2022-04-26阅读量2759NAND

三星量产QLC第9代V-NAND

最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数

2024-09-12阅读量2244NAND

三星通知DRAM、NAND即将涨价 涨幅均超两位数

​在低迷了一年多之后，预计存储芯片的合约价格在今年二季度将会有明显上涨。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格，预计在今年二季度的涨幅将达到两位数。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格在二季度上涨，主要是得益于需求的增长。

闪德资讯· 2020-03-15阅读量3869