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含“
3D NAND
”搜索结果为 540 条
三星出手
NAND
价格稳了
全球记忆体龙头三星出手不让储存型快闪记忆体(NAND Flash)报价下跌,在通知模组厂本季不再跌价后,NAND Flash价格本季止稳,通路商预期下半年跌幅仅在个位数,有利备货买盘涌现,带动威刚、群联、宇瞻和十铨等族群营运提升。
中国IC交易网· 2019-05-07
阅读量
2570
三星减产致
NAND
Flash价格上扬,群联目标价抬高
群联受惠于有较低的NAND Flash成本价格,加上国际大厂三星将进一步降低产能的情况下,有机会使得NAND Flash的价格上扬,对群联营收将有所挹注,因此给予群联「优于大盘」 投资评等,目标价每股新台币500元。
2023-09-11
阅读量
1520
NAND
三星准备扩产
NAND
业内人士透露,三星电子决定在平泽第4工厂(P4)建设NAND闪存生产线。据证实,已下达正式订单,计划在本月底引进主要设备。
2024-07-18
阅读量
1713
NAND
三星再次调涨
NAND
报价,最快本月生效
韩国存储大厂三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情,打算在第四季将NAND芯片价格调涨10%以上,且最快自10月开始涨价。
2023-10-07
阅读量
1858
NAND
三星公布内存、闪存路线图:四年后推DDR6,两年后推V9
NAND
据德媒computerbase消息,三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中介绍了其内存及闪存路线图。
2022-10-09
阅读量
3531
NAND
三星东芝转向先进制程 2019年
NAND
Flash产业大洗牌
随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能占到芯片总面积的50%以上,长江存储作为中国大陆主攻存储技术的厂商,其Xtracking TM主要是传统3D NAND架构的突破,面对三星、海力士、东芝等国际大厂的技术优势,中国厂商还要不断提高研发水平,进行突破。
电子发烧友网· 2019-01-03
阅读量
3269
三星、SK海力士推迟标准DRAM、
NAND
增产
尽管业内许多人称现在是「半导体春天」,但三星电子和SK海力士两大存储厂并未恢复增产。截至5月20日,两家公司在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍持保守态度。
2024-05-22
阅读量
1859
NAND
三星、SK海力士
NAND
减产10%
三星电子和SK海力士已开始减少NAND闪存产量。
2025-02-12
阅读量
1485
NAND
三星
NAND
Flash喊涨,主控与模组厂将受惠
继先前NAND Flash主控芯片厂慧荣表示,当前NAND Flash在2024年第二季的价格已经谈完,预计涨价20%的消息之后,韩媒也报道,三星电子也决定针对NAND Flash涨价15%~20%,预计主控芯片厂、模组厂预计将会受惠。
2024-03-16
阅读量
1922
三星400层
NAND
Flash量产倒计时
三星半导体研究所完成突破性400层堆叠NAND Flash开发。
2024-12-10
阅读量
1342
NAND
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