SK海力士已开发出176层4D NAND闪存芯片

据SK海力士表示，他们已开发出一种176层4D NAND闪存芯片，这种芯片具有更高的生产率和性能。SK海力士称，新的芯片是其4D产品的第三代产品，该产品突出了业内每晶圆的最佳芯片数量，176层的512Gb TLC 4D NAND闪存样品已于上个月提供给闪存控制器公司以制造解决方案产品。

闪德资讯· 2020-12-07阅读量3177

SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产

SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。

2023-08-09阅读量2137NAND

SK海力士将238层V8 NAND嫁接到UFS 4.0 最快明年上半年量产

SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。

2022-08-17阅读量2592

SK海力士宣布将停产36层和48层3D NAND产品

在NAND领域中，未来将着重改善收益。将停止生产成本相对高的3D NAND初期产品－2代（36层）、3代（48层），并提高72层的生产比重

中国IC交易网· 2019-04-26阅读量2917

SK海力士宣布96层QLC 1Tb NAND送样，并获慧荣认证

SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，还开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品，加强对下一代高密度存储器市场的响应能力，满足客户需求。

中国IC交易网· 2019-05-10阅读量2755

SK海力士完成收购英特尔NAND闪存芯片业务的第一阶段工作

据路透社消息，SK海力士今（30）日表示，在获得包括中国在内的八个国家的监管批准后，它完成了收购英特尔 NAND闪存芯片业务的第一阶段工作。

2021-12-30阅读量2936NAND

SK海力士公布新产品规划：2030年推800+层堆叠NAND Flash，届时SSD可达200TB

​目前，两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中，三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash，SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。

全球半导体观察· 2019-08-13阅读量2460

SK海力士与Intel谈判 欲收购大连工厂及3D NAND业务

7月11日消息，海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68工厂。知情人士透露，“根据目前进展，海力士正在跟Intel谈判，海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务，Intel只保留与XPoint相关的技术。”

集微网· 2019-07-12阅读量2517

SK海力士NAND市场份额超20%

SK海力士今年在全球NAND市场份额预计将首次超过20%。

2024-11-20阅读量1574NAND

SK海力士NAND减产10%

SK海力士计划在今年上半年将NAND产量减少10%。

2025-01-15阅读量1092