长鑫存储内部认筹将开放；一个气球让欧洲晶圆厂大停电；慧荣看好明年NAND市场

长鑫存储内部认筹或在年内开放；一个气球让欧洲晶圆厂大停电；慧荣看好明年NAND市场

2021-09-17阅读量3816存储

长鑫存储公开「存储器的制造方法和存储器」专利

长鑫存储技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为「存储器的制造方法和存储器」，公开号为CN114242659A。

2022-03-28阅读量3643

长鑫存储公开「半导体结构制作方法」等2项专利

2022-06-20阅读量3001存储

长鑫存储公开「光刻设备」专利

近日长鑫存储技术有限公司公开多项专利，其中一条名称为「光刻设备」，公开号为CN114280891A

2022-04-08阅读量2837存储

长鑫存储公布「一种控制方法、半导体存储器和电子设备」专利

长鑫存储技术有限公司「一种控制方法、半导体存储器和电子设备」专利公布

2023-10-13阅读量2233存储

长鑫存储「集成电路电容器及其制造方法、半导体器件」专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司「集成电路电容器及其制造方法、半导体器件」专利获授权，授权公告日为7月4日，授权公告号为CN108511425B。

2023-07-07阅读量1453存储

长鑫存储“晶圆测试机构及其制作方法、晶圆”专利获授权

2023-09-16阅读量1874存储

长鑫&长江存储双双入选Silicon 100，全球最受关注

《EE Times》发布了其最新一期的「Silicon 100」名单，选出了全球最值得关注的100家半导体初创公司名单，编列为《Silicon 100：Startups to Follow in 2022》。

2022-08-15阅读量3253存储

长江存储预告全新国产3D闪存：前所未有高性能

作为3D NAND闪存产业的新晋者，长江存储今年将第一次参加行业权威的闪存峰会(Flash Memory Summit)，并首次公开披露即将发布的突破性技术Xtacking。

快科技· 2018-10-29阅读量3397

长江存储进「实体清单」，三星3D NAND涨价10%能否得逞？

三星逆势调涨3D NAND Flash价格，涨幅高达10%。据外媒Tomshardware报道，这与长江存储被美国商务部列入未核实清单（UVL）有关

2022-12-22阅读量3203存储