三星发布业内首款12层36GB HBM3E内存，下半年量产

三星电子27日表示，公司成功研发出利用硅通孔技术（TSV）的业界首款12层堆叠第五代高带宽内存（HBM3E）「HBM3E 12H DRAM」，容量达到业内最大的36GB。

2024-02-28阅读量1750

三星利润暴跌56%！内存芯片拖后腿，三星表示不会人为减产

三星三星电子财报日韩贸易战半导体出口限制周三 (31 日) 三星电子 (Samsung Electronics) 发表 Q2 财报，由于上半年记忆体晶片价格下跌，加上手机部门业务受挫，故拖累营业利润较去年同期大跌 56%，三星电子周三 (31 日) 股价是闻声大跌 2.58% 以每股 45350 韩圜作收，创下三周低点。

中国IC交易网· 2019-08-01阅读量2938

三星准备推出512GB DDR5-7200内存！8层TSV堆栈封装立大功

在近期HotChip 33大会上，三星对外公布了他们正在开发拥有8层TSV封装的DDR5内存，相对于三星目前4层TSV封装的DDR4，容量提升了两倍，使未来单根512GB的DDR5成为可能。

闪德资讯· 2021-08-24阅读量4433

三星内存芯片面临中美竞争对手夹击，技术或不再领先

三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别保持了30年和20年的第一名位置。然而，中美两国的芯片制造商已经开始威胁其技术领先地位。

2023-01-30阅读量2259内存

三星公布内存、闪存路线图：四年后推DDR6，两年后推V9 NAND

据德媒computerbase消息，三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中介绍了其内存及闪存路线图。

2022-10-09阅读量3742内存

三星停产B-Die DDR4内存颗粒：曾是超频者最爱

三星还列出了采用10纳米级工艺技术制造的16 Gb A-die存储器件，这些器件用于构建伺服器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存储器模块。

cnBeta· 2019-05-15阅读量2821

三星交付HBM3E内存样品

2023-10-19阅读量2002

三星、SK海力士正致力于研发人工智能时代的降低内存功耗技术

三星正在与首尔大学进行相关合作，以进一步降低内存功耗。当前所采取的是Compute Express Link的技术，进一步开发了采用12纳米制程技术的16GB DDR5 DRAM。而该型产品与上一代相较，能耗降低了23%。

2023-07-14阅读量2146内存

三星、Hynix计划今年底发布DDR5内存

DDR4记忆体基本上在PC平台已非常普及，各DRAM 商都开始为为新一代“DDR5”作好准备，其中，两大DRAM厂Samsung 及 SK-Hynix 已计划在 2019 年底之前发布 DDR5 产品，Samsung将专注生产用于移动设备上的“DDR5”产品，而SK-Hynix则专注于台式机市场。

中国IC交易网· 2019-03-02阅读量4173

三星18nm工艺内存芯片曝缺陷 明年全面挺进16nm

作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头，三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨，三星赚得盆满钵满，最近日子就不太好过了，一季度营业利润暴跌了超过60％。

快科技· 2019-04-10阅读量2928