三星或采用铪基薄膜铁电制造1000层NAND

三星电子正在加强其对NAND闪存的研发工作，重点关注被称为「铪基薄膜铁电（hafnia ferroelectrics）」的下一代存储半导体材料。

2024-05-15阅读量1507NAND

三星将在年底推200+层NAND闪存

目前除了三星积极布局200层以上NAND Flash闪存，其他还有美光和SK海力士也在加速200层以上NAND Flash闪存开发，预计这将是另一个NAND Flash闪存的决战领域。

2022-02-10阅读量2485NAND

三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

2024-01-30阅读量1908NAND

三星宣布量产236层8代V-NAND闪存，将PCIe 5.0提速至12GBps以上

三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。

2022-11-07阅读量2081NAND

三星宣布已开始量产业界首款第9代V-NAND

三星电子今（23）日宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产

2024-04-23阅读量1653NAND

三星和铠侠计划减产NAND

供应链透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减NAND闪存产量。

2024-10-30阅读量1382

三星去年Q4代工业务破7万亿韩元，首超NAND业务

三星代工业务在2022年第4季度的营收为7.0164万亿韩元。

2023-03-23阅读量2205NAND

三星出手 NAND价格稳了

全球记忆体龙头三星出手不让储存型快闪记忆体（NAND Flash）报价下跌，在通知模组厂本季不再跌价后，NAND Flash价格本季止稳，通路商预期下半年跌幅仅在个位数，有利备货买盘涌现，带动威刚、群联、宇瞻和十铨等族群营运提升。

中国IC交易网· 2019-05-07阅读量2572

三星减产致NAND Flash价格上扬，群联目标价抬高

群联受惠于有较低的NAND Flash成本价格，加上国际大厂三星将进一步降低产能的情况下，有机会使得NAND Flash的价格上扬，对群联营收将有所挹注，因此给予群联「优于大盘」 投资评等，目标价每股新台币500元。

2023-09-11阅读量1523NAND

三星准备扩产NAND

业内人士透露，三星电子决定在平泽第4工厂（P4）建设NAND闪存生产线。据证实，已下达正式订单，计划在本月底引进主要设备。

2024-07-18阅读量1714NAND