三星将大规模量产HBM内存芯片

2023-06-28阅读量2680

三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

快科技 · 2020-07-07阅读量2340

三星发布首款512GB内存扩展器CXL DRAM

三星宣布开发出旗下首款512GB内存扩展器 （CXL，Compute Express Link）DRAM

2022-05-11阅读量2991内存

三星发布有人工智能的内存处理架构

三星在HBM-PIM上的论文已被选中在2月22日举行的着名国际固态电路虚拟会议（ISSCC）上进行演示。三星的HBM-PIM现在正由领先的AI解决方案合作伙伴在AI加速器中进行测试，所有验证预计将在今年上半年完成。

闪德资讯· 2021-02-22阅读量3262

三星发布业内首款12层36GB HBM3E内存，下半年量产

三星电子27日表示，公司成功研发出利用硅通孔技术（TSV）的业界首款12层堆叠第五代高带宽内存（HBM3E）「HBM3E 12H DRAM」，容量达到业内最大的36GB。

2024-02-28阅读量1697

三星利润暴跌56%！内存芯片拖后腿，三星表示不会人为减产

三星三星电子财报日韩贸易战半导体出口限制周三 (31 日) 三星电子 (Samsung Electronics) 发表 Q2 财报，由于上半年记忆体晶片价格下跌，加上手机部门业务受挫，故拖累营业利润较去年同期大跌 56%，三星电子周三 (31 日) 股价是闻声大跌 2.58% 以每股 45350 韩圜作收，创下三周低点。

中国IC交易网· 2019-08-01阅读量2881

三星准备推出512GB DDR5-7200内存！8层TSV堆栈封装立大功

在近期HotChip 33大会上，三星对外公布了他们正在开发拥有8层TSV封装的DDR5内存，相对于三星目前4层TSV封装的DDR4，容量提升了两倍，使未来单根512GB的DDR5成为可能。

闪德资讯· 2021-08-24阅读量4339

三星内存芯片面临中美竞争对手夹击，技术或不再领先

三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别保持了30年和20年的第一名位置。然而，中美两国的芯片制造商已经开始威胁其技术领先地位。

2023-01-30阅读量2174内存

三星公布内存、闪存路线图：四年后推DDR6，两年后推V9 NAND

据德媒computerbase消息，三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中介绍了其内存及闪存路线图。

2022-10-09阅读量3654内存

三星停产B-Die DDR4内存颗粒：曾是超频者最爱

三星还列出了采用10纳米级工艺技术制造的16 Gb A-die存储器件，这些器件用于构建伺服器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存储器模块。

cnBeta· 2019-05-15阅读量2756