三星本季将NAND产量提高30%，今年年底保持50%规模上限

行业透露，三星电子已将平泽园区和中国西安工厂NAND生产线的晶圆产量从今年第一季度环比提高了30%。

2024-04-16阅读量1822NAND

三星暂停平泽工厂的NAND Flash生产

2023-08-15阅读量1979

三星晶圆代工营收首次超过NAND Flash

三星晶圆代工营收达55.8亿美元，超过NAND Flash闪存营收43亿美元，是三星半导体业务自2017年拆分后首次营收超越NAND Flash业务， 代表三星想让晶圆代工业务成为重要营收的努力有了初步成果。

2022-12-15阅读量2298NAND Flash

三星扩大减产幅度至50%，NAND Flash第4季均价有望涨5%

2023-09-12阅读量1977

三星或采用铪基薄膜铁电制造1000层NAND

三星电子正在加强其对NAND闪存的研发工作，重点关注被称为「铪基薄膜铁电（hafnia ferroelectrics）」的下一代存储半导体材料。

2024-05-15阅读量1507NAND

三星将在年底推200+层NAND闪存

目前除了三星积极布局200层以上NAND Flash闪存，其他还有美光和SK海力士也在加速200层以上NAND Flash闪存开发，预计这将是另一个NAND Flash闪存的决战领域。

2022-02-10阅读量2485NAND

三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

2024-01-30阅读量1908NAND

三星宣布量产236层8代V-NAND闪存，将PCIe 5.0提速至12GBps以上

三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。

2022-11-07阅读量2081NAND

三星宣布已开始量产业界首款第9代V-NAND

三星电子今（23）日宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产

2024-04-23阅读量1653NAND

三星和铠侠计划减产NAND

供应链透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减NAND闪存产量。

2024-10-30阅读量1382