与SK海力士一教高下！三星证实明年推300层以上V-NAND

韩国存储大厂三星分享V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实2024年将生产超过300层的第九代V-NAND闪存，这将是业界最高层数。

2023-10-20阅读量1955NAND

下半年NAND位元增速将下滑

受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。

2024-08-13阅读量1824

上半年DRAM和NAND低于先前预期

Hana预测三星电子与SK海力士生产的本季DRAM价格将比上季跌30%；Susquehanna表示今年上半年DRAM和NAND晶片价格将“低于先前预期”。

中国IC交易网· 2019-03-11阅读量2890

三星：将逐季调涨NAND价格20%，直到明年Q2

三星电子决定在明年第1季与第2季将NAND价格调涨20%，接续在今年第4季涨价10%至20%的调涨行动。

2023-11-02阅读量1994NAND

三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

2023-10-18阅读量1771NAND

三星韩国平泽P3晶圆厂下月装机，最先生产NAND芯片

三星2020年开始在平泽市兴建P3晶圆厂，2022年5月开始安装设备持续到7月，较计划时间提早一个月，下半年将完成建设。

2022-04-26阅读量2480NAND

三星量产QLC第9代V-NAND

最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数

2024-09-12阅读量1917NAND

三星通知DRAM、NAND即将涨价 涨幅均超两位数

​在低迷了一年多之后，预计存储芯片的合约价格在今年二季度将会有明显上涨。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格，预计在今年二季度的涨幅将达到两位数。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格在二季度上涨，主要是得益于需求的增长。

闪德资讯· 2020-03-15阅读量3532

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存

2023-08-19阅读量1944

三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层

三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

2024-04-16阅读量1997NAND