三星量产QLC第9代V-NAND

最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数

2024-09-12阅读量1802NAND

三星通知DRAM、NAND即将涨价 涨幅均超两位数

​在低迷了一年多之后，预计存储芯片的合约价格在今年二季度将会有明显上涨。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格，预计在今年二季度的涨幅将达到两位数。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格在二季度上涨，主要是得益于需求的增长。

闪德资讯· 2020-03-15阅读量3438

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存

2023-08-19阅读量1831

三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层

三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

2024-04-16阅读量1891NAND

三星西安工厂将引进NAND高级设备

2023-10-17阅读量2251

三星西安工厂NAND减产10%

​最新消息，三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量，减少10%以上。

2025-01-14阅读量1244

三星等NAND制造商考虑涨价

2023-05-20阅读量1838NAND

三星目标NAND库存年末正常化

2023-08-22阅读量2101

三星电子展示最新NAND技术

三星电子DS部门在国际固态电路会议（ISSCC）上发表主题演讲，并展示了晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。

2025-02-27阅读量1403NAND

三星电子NAND工厂生产线或减产

三星电子新闻中心29日发布公告称，受新冠疫情持续等影响，公司正在对西安半导体工厂生产线进行灵活调整。

2021-12-29阅读量2798NAND