东芝在Q4扩大96层3D NAND产品出货量，各家原厂在96层和QLC技术上的竞争愈发激烈

随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量3270

东芝停电产线恢复生产，NAND Flash将重回供过于求？

随着日韩贸易战的升温，再加上自6月以来，东芝因为停电事件所造成全球NAND Flash产能约5%的缺口，使得过去一段时间以来，NAND Flash的市场价格由止跌回稳的情况。

爱集微· 2019-08-09阅读量2423

东芝与西数合资新晶圆厂开幕 已量产新一代96层3D NAND Flash

日本存储器大厂东芝存储器（Toshiba Memory Corporation）与西数（Western Digital）于19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心（Memory R&D Center）。

TechNews科技新报· 2018-10-31阅读量3057

东芝、美光减产 NAND Flash喊涨

NAND Flash大厂东芝记忆体的四日市晶圆厂区6月中发生停电且停工一周才复工，并已通知客户第三季NAND Flash出货量将大幅减少，加上美光宣布将把NAND Flash减产幅度由5％提高至10％，近期NAND Flash现货价格止跌。

中国IC交易网· 2019-06-28阅读量2886

东芝NAND产线重启或使供给过剩情形恶化

东芝已重启6月中旬因停电而暂停生产的储存型快闪记忆体（NAND Flash）产线，可能使市场供给过剩情形恶化。

中国IC交易网· 2019-08-07阅读量2813

东芝-西数联盟， 西数3D NAND量产将使用三星TCAT工艺

据报道，东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

爱集微· 2019-12-12阅读量6402

东京电子成功开发出400层以上的3D NAND技术

东京电子（TEL）近日发布消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

2023-06-12阅读量2252NAND

东京电子开发出可生产400层的3D NAND闪存设备

东京威力科创/东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产400层3D NAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

2023-10-18阅读量1823NAND

业界传出Marvell缩编台湾NAND团队

业界近日传出，因应NAND Flash行情不佳影响，加上美中贸易战限制，使Marvell的NAND Flash控制IC业务受到冲击，且将会裁撤中国台湾Marvell的NAND Flash控制IC的团队。

2023-11-17阅读量1701NAND

业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量

据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。

2021-11-24阅读量3356NAND