含“NAND Flash”搜索结果为 544 条
传华为要求长江存储64层TLC NAND提前量产
台媒报道传华为强力要求长江存储64层TLC NAND提前量产被视为内部最高机密,目前长江正从上到下进入加紧赶工阶段,从原本的“慢慢来”转变为“快步跑”。 
中国IC交易网· 2019-06-01阅读量3162
传三星酝酿NAND晶圆涨价,中国市场或率先翻涨
据台媒《电子时报》报道,消息人士透露,三星计划提高NAND晶圆价格。此外,如果消费电子市场需求在下半年改善,NAND晶圆合约报价有望企稳。
2023-06-09阅读量2394NAND
传三星电子调升西安工厂NAND开工率至70%
据韩媒The Elec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率提升至70%。
2024-03-12阅读量1845
传三星Q2拟砍5% NAND产能,西安厂为重点
Q2期间,三星将大砍西安厂产能
2023-04-21阅读量1891
传SK海力士继续对NAND Flash和DRAM扩产!
三星电子宣布西安二期一阶段工厂投产,二期二阶段全面开工建设,似乎拉开了新一轮扩产竞赛的序幕,传SK海力士也计划增加NAND Flash和DRAM产能。
2020-04-21阅读量2632
价量齐跌 NAND Flash厂Q1营收恐持续走弱
去年第4季NAND Flash整体位元出货量表现,低于预期,使品牌商营收较前一季衰退16.8%,今年第1季进入传统淡季,需求更趋疲弱,主要供应商为维持市场占有率,将祭出更优惠价格,整体NAND Flash营收恐受到价量齐跌拖累,而持续走弱。
中国IC交易网· 2019-02-22阅读量2672
二季度NAND Flash跌幅趋缓有望
受到NAND Flash供过于求压力,市场库存水位堆高,记忆体龙头厂三星2019年首季带头大幅砍价,已冲击其他上游原厂面临亏损价格正逐步接近现金成本价。
中国IC交易网· 2019-03-13阅读量2552
为实现超大容量SSD,铠侠正试验7bit/cell 3D NAND
近日铠侠表示,已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc),尽管是在实验室和低温的条件下。为了使存储密度更高,存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。
2022-06-17阅读量2937NAND
中国存储器模组厂配合原厂,NAND Flash准备调涨8~10%
2023-08-17阅读量2284
中国内陆存储器垄断调查转至NAND Flash
台媒报道,大陆最近似乎开始加强力道,对南韩半导体业者进行施压。内陆业界最近传出消息,指关于DRAM三巨头的反垄断调查,已从DRAM价格垄断,转向NAND Flash捆绑销售。传内陆打算以此为由祭罚,业者不缴罚金的交换条件,将是停止或中断对内陆半导体业者的专利侵权诉讼,传南韩业界已感受到巨大压力。
中国IC交易网· 2018-12-28阅读量3210

存储未来,赢得先机

18126200184

Copyright©2008-2025 闪德资讯 版权所有 粤ICP备18080549号-1

粤公网安备 44030402002744号