三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

2023-10-18阅读量1767闪存

三星闪存将"报复性"涨价！

据外媒报道，受半导体材料限制出口影响，及东芝工厂停电事故。三星电子将借机带头调整NAND Flash闪存芯片的价格，幅度10%左右！

中国半导体论坛· 2019-07-10阅读量2881

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存

2023-08-19阅读量1942

三星西安闪存厂已启用 8月产能达6.5万片

三星 (Samsung) 已按计划启动了其位于中国西安的新闪存工厂，开始量产闪存晶圆。

2020-03-24阅读量2757

三星美光等公司加速96层堆栈闪存量产 2020年成为主流

6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故，导致部分工厂要停产到这个月，再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁，连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性

中国IC交易网· 2019-07-23阅读量2871

三星正式发布UFS 4.0闪存，顺序读取速度4200MB/s！

5月4日，三星正式公布了UFS（通用闪存）4.0存储解决方案

2022-05-05阅读量2833闪存

三星拟提高闪存晶圆报价，上涨15%

2023-08-03阅读量1819

三星将在年底推200+层NAND闪存

目前除了三星积极布局200层以上NAND Flash闪存，其他还有美光和SK海力士也在加速200层以上NAND Flash闪存开发，预计这将是另一个NAND Flash闪存的决战领域。

2022-02-10阅读量2562

三星宣布量产236层8代V-NAND闪存，将PCIe 5.0提速至12GBps以上

三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。

2022-11-07阅读量2179闪存

三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

快科技 · 2020-07-07阅读量2338