NEO Semiconductor率先发布3D DRAM技术

2023-05-11阅读量2447

IBM与东京电子合作，开发新3D芯片堆叠技术用于12吋晶圆

IBM和日本半导体设备商东京电子日前宣布，在3D芯片堆叠方面获得了新的技术突破，成功运用了一种新技术将3D芯片堆叠技术用于12 吋晶圆上。

2022-07-15阅读量26173D

DRAM有望导入混合键合技术，迈入3D势在必行

部分预测认为，随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈，未来DRAM制程可能引进混合键合（Hybrid Bonding）技术，以提高DRAM的集积度，量产64Gb以上的DRAM产品。

2023-10-18阅读量17883D

AMD锐龙7 9800X3D现故障

AMD Ryzen 7 9800X3D处理器推出后深受玩家欢迎，销量亮眼

2025-04-03阅读量2103

96层3D闪存产量将扩大：加速SSD价格下跌

自2018年以来，闪存价格一直在下跌，主要原因是64层和72层3D芯片的供应增加。观察人士表示，今年年底，内存价格甚至会跌至每GB不0.1美元（约0.67元）的纪录新低。

快科技· 2019-03-06阅读量3090

5G手机爆发在即，WD推出UFS3.0:采用96层3D NAND

西部数据（Western Digital）宣布基于先进的96层3D NAND推出嵌入式存储产品iNAND MCEU511，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格，提供64GB-512GB容量选择，目前iNAND MC EU511正在给OEM客户送样。此外，西部数据先进的iNAND SmartSLC Generation 6，助力写入速度高达750MB/s，可在3.6秒内完成2小时的电影下载，连续读取速度几乎是其前代产品的两倍。

中国闪存市场· 2019-02-22阅读量3331

3D堆叠DRAM最新进展

日本AI芯片独角兽企业Preferred Networks宣布新一代AI推理处理器MN-Core L1000已启动开发，目标2026年交付。

2024-11-21阅读量1478

3D NAND，SSD的新方向

目前平面结构的NAND闪存已接近容量极限，而升级制程耗资巨大，这给半导体存储器行业带来了严峻挑战。3D NAND就是目前解决这一问题的最佳方法之一，它由Intel和美光（Micron）合作研发，通过把内存颗粒堆叠在一起后进行封装，可以在相同制程下大大增加存储密度。

cfan· 2018-11-21阅读量4020

3D NAND Flash技术发展到极限，5年内利润空间恐压缩至零

日前SK海力士（SK Hynix）预料，3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限，5年内利润空间恐压缩至零，需业界合作开发新材料因应。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量3254

2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展

据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示

2024-06-19阅读量22763D NAND