三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

2024-01-30阅读量1930三星

三星将召开全球战略会议，制定明年业务计划

三星电子将于15日在其水原工厂举行 DX 部门全球战略会议，包括全公司和移动体验 (MX) 部门，以及视频显示 (VD) 和家电部门。

2022-12-09阅读量2414三星

三星将代工Intel 14nm CPU芯片；

11月29日，据韩媒报道，三星电子公司已同意向英特尔公司提供CPU，以帮助英特尔解决14nm芯片的供应问题。

IT之家· 2019-11-29阅读量2916三星

三星对HBM3E 16层市场需求谨慎

三星电子近日正式表态称，HBM3E 16层并无商业化需求

2025-02-06阅读量1323三星

三星宣布量产4Bit QLC SSD

8月7日消息 很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。

IT之家· 2018-10-29阅读量3382

三星宣布量产4-Bit QLC SSD，最高容量达到4TB

近期以来，在快闪存储器（Nand Flash）市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔（Intel）、美光（Micron）、西数（WD）、东芝（Toshiba）等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。

TechNews科技新报· 2018-10-29阅读量3009

三星宣布量产236层8代V-NAND闪存，将PCIe 5.0提速至12GBps以上

三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。

2022-11-07阅读量2098三星

三星宣布退出LCD面板惨业

三星显示器将全面退出LCD面板产业！三星显示器31日发信通知所有客户，决定到2020年12月底为止、将终止所有LCD产品供应，以加快转向QDdisplay事业（量子点OLED）。

2020-04-01阅读量2956三星

三星宣布推出业界首个EUV DRAM，并出货第一百万个模块

基于EUV的第一代10nm级DRAM（D1x）已完成其客户评估；EUV将于明年从第四代10nm级DRAM（D1a）全面部署。

闪德资讯· 2020-03-25阅读量2807三星

三星宣布开始量产业内首批12GB LPDDR4X uMCP芯片

作为全球先进存储器技术的领导者，三星今日宣布量产业内首款基于 UFS 多芯片封装（uMCP）的 12GB LPDDR4X 内存解决方案。作为技术日（Samsung Tech Day）活动的一部分，三星在其位于加州圣何塞的设备解决方案（Device Solutions）美国总部发布了这一公告。除了为中端市场客户提供 10GB 以上内存解决方案，这款大容量 uMCP 还可利用业内首个 24Gb LPDDR4X 芯片。

cnbeta· 2019-10-24阅读量3046三星