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三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功
三星电子21日宣布第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。
中国IC交易网· 2019-03-22阅读量3107
三星电子第一季度增长
三星电子发布最新业绩,4月8日股价上涨超过2%。
2025-04-08阅读量1076三星
三星电子第一季度利润预计增加8倍
2024-03-18阅读量1809
三星电子第一季度再创新高
三星电子公布了截至2025年3月31日的第一季度财务业绩。
2025-04-30阅读量1521三星
三星电子砸钱追赶对手
HBM市场正在快速扩大,SK海力士领先,一直处于供不应求的状态。
2024-08-14阅读量1423
三星电子研发费再创新高
三星电子公司公布净收入实现了2010年以来最快的增长速度
2024-08-01阅读量1590三星
三星电子目标价下调
研究机构将三星电子的目标股价从80,000韩元下调至77,000韩元。这是由于半导体行业放缓、经济问题和政治风险造成的。
2024-12-09阅读量1431
三星电子目标价上调
机构将三星电子目标股价上调9.6%至8万韩元,并称存储行业正在复苏。
2025-03-27阅读量1558三星
三星电子核心技术泄露
2023-05-18阅读量2004三星
三星电子本月首次启动4nm MPW服务
三星电子计划分别在2023年4月、2023年8月、2023年12月提供4nm制程的多项目晶圆(MPW,Multi-Project Wafer)服务。
2023-04-18阅读量1752三星

存储未来,赢得先机

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