长鑫存储动态随机存取存储晶元DRAM项目投产。

​日前，长鑫存储动态随机存取存储晶元（DRAM）项目投产。经客户验证，长鑫存储10纳米级第一代8Gb DDR4 DRAM产品性能达标，客户对验证结果表示满意。预计今年底，首批晶元将会送到客户手中。

中国IC交易网· 2019-09-23阅读量2966

长鑫存储内部认筹将开放；一个气球让欧洲晶圆厂大停电；慧荣看好明年NAND市场

长鑫存储内部认筹或在年内开放；一个气球让欧洲晶圆厂大停电；慧荣看好明年NAND市场

2021-09-17阅读量3825存储

长鑫存储公开「存储器的制造方法和存储器」专利

长鑫存储技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为「存储器的制造方法和存储器」，公开号为CN114242659A。

2022-03-28阅读量3653

长鑫存储公开「半导体结构制作方法」等2项专利

2022-06-20阅读量3008存储

长鑫存储公开「光刻设备」专利

近日长鑫存储技术有限公司公开多项专利，其中一条名称为「光刻设备」，公开号为CN114280891A

2022-04-08阅读量2844存储

长鑫存储公布「一种控制方法、半导体存储器和电子设备」专利

长鑫存储技术有限公司「一种控制方法、半导体存储器和电子设备」专利公布

2023-10-13阅读量2244存储

长鑫存储「集成电路电容器及其制造方法、半导体器件」专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司「集成电路电容器及其制造方法、半导体器件」专利获授权，授权公告日为7月4日，授权公告号为CN108511425B。

2023-07-07阅读量1459存储

长鑫存储“晶圆测试机构及其制作方法、晶圆”专利获授权

2023-09-16阅读量1882存储

长鑫&长江存储双双入选Silicon 100，全球最受关注

《EE Times》发布了其最新一期的「Silicon 100」名单，选出了全球最值得关注的100家半导体初创公司名单，编列为《Silicon 100：Startups to Follow in 2022》。

2022-08-15阅读量3262存储

长江存储预告全新国产3D闪存：前所未有高性能

作为3D NAND闪存产业的新晋者，长江存储今年将第一次参加行业权威的闪存峰会(Flash Memory Summit)，并首次公开披露即将发布的突破性技术Xtacking。

快科技· 2018-10-29阅读量3410